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大型半導體硅單晶用熱場，主要指半導體用途8英寸到12英寸的硅單晶棒生長使用的熱場，主要的對比對象是太陽能用途的硅單晶熱場和小尺寸半導體用途的硅單晶熱場。
首先是工藝的差異，大規(guī)格半導體硅單晶的生長工藝更加復雜：
1、對于熱場的純度要求更高，熱場里面的雜質(zhì)會影響到晶棒的生長，導致各種問題。
2、對于熱場的均勻性要求更高，包括各個物理特性在不同位置的一致性。
3、對于熱場的穩(wěn)定性要求更高，產(chǎn)品在使用過程中，如在壽命的前期、中期到末期，需要性能保持一致，不同批次的產(chǎn)品，性能也需要保持一致。
其次是設備的差異，大規(guī)格半導體硅單晶生長使用的設備，爐腔空間比較大。
這樣熱量的損失會比較大，對保溫性能要求也就更高。
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